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    XP6501 参数 Datasheet PDF下载

    XP6501图片预览
    型号： XP6501
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面晶体管 [Silicon NPN epitaxial planer transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 36 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号XP6501的Datasheet PDF文件第1页  
    复合晶体管
    P
    T
    - TA
    250
    60
    Ta=25˚C
    I
    B
    =160µA
    XP6501
    I
    C
    — V
    CE
    1200
    V
    CE
    =10V
    Ta=25˚C
    1000
    I
    B
    — V
    BE
    总功耗P
    T
    （ mW）的
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    200
    50
    40
    基极电流I
    B
    (
    µA
    )
    140µA
    120µA
    100µA
    30
    80µA
    20
    60µA
    40µA
    10
    20µA
    800
    150
    600
    100
    400
    50
    200
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    环境温度Ta （C ）
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    基极至发射极电压V
    BE
    (V)
    I
    C
    — V
    BE
    240
    V
    CE
    =10V
    200
    200
    240
    V
    CE
    =10V
    Ta=25˚C
    I
    C
    — I
    B
    100
    V
    CE （ SAT ）
    — I
    C
    集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    (V)
    I
    C
    /I
    B
    =10
    30
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    0.01
    0.1
    25˚C
    Ta=75˚C
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    160
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    160
    120
    Ta=75˚C
    80
    25˚C
    120
    –25˚C
    80
    40
    40
    –25˚C
    0
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    0
    0
    200
    400
    600
    800
    1000
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    基极至发射极电压V
    BE
    (V)
    基极电流I
    B
    (
    µA
    )
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    h
    FE
    — I
    C
    600
    V
    CE
    =10V
    300
    f
    T
    — I
    E
    240
    NV - 我
    C
    V
    CB
    =10V
    Ta=25˚C
    V
    CE
    =10V
    G
    V
    =80dB
    200功能= FLAT
    Ta=25˚C
    160
    正向电流传输比H
    FE
    500
    过渡频率f
    T
    （兆赫）
    400
    Ta=75˚C
    25˚C
    180
    噪声电压NV （MV ）
    240
    300
    –25˚C
    120
    R
    g
    =100kΩ
    120
    200
    80
    22kΩ
    4.7kΩ
    100
    60
    40
    0
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    0
    –0.1 –0.3
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    0
    10
    20 30 50
    100
    200 300 500 1000
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    发射极电流I
    E
    （MA ）
    集电极电流I
    C
    (
    µA
    )
    2

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