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XP4312 参数 Datasheet PDF下载

XP4312图片预览
型号: XP4312
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内容描述: 硅NPN ( PNP )外延平面晶体管 [Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 109 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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复合晶体管
XP04312
(XP4312)
NPN硅外延平面型( Tr1的)
PNP硅外延平面型( TR2)
对于开关/数字电路
特点
两个元素合并到一个包
(晶体管具有内置电阻)
由一个半减少安装面积和装配成本的
(0.425)
单位:mm
0.12
+0.05
–0.02
0.2
±0.05
6
5
4
1.25
±0.10
2.1
±0.1
1
2
3
(0.65) (0.65)
基本型号
UNR2212 ( UN2212 )
+
UNR2112 ( UN2112 )
10˚
1.3
±0.1
2.0
±0.1
0.9
±0.1
参数
Tr1
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
集电极 - 发射极电压
(基地开)
集电极电流
Tr2
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
集电极 - 发射极电压
(基地开)
集电极电流
整体
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
−50
−50
−100
150
150
−55
to
+150
单位
1 :发射器( Tr1的)
2 :基地( Tr1的)
3 :收藏家( TR2)
EIAJ : SC -88
0-0.1
V
V
mA
V
V
mA
mW
°C
°C
标记符号: 7T
内部连接
6
Tr1
Tr2
1
2
3
5
4
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期: 2003年6月
SJJ00177BED
0.9
+0.2
–0.1
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
4 :发射器( TR2)
5 :基地( TR2)
6 :收集器( Tr1的)
SMini6 -G1封装
0.2
±0.1
1