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XN4609 参数 Datasheet PDF下载

XN4609图片预览
型号: XN4609
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内容描述: 硅NPN ( PNP )外延平面晶体管 [Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 66 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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复合晶体管
XN4609
(Ta=25˚C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
R
on*2
条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CB
= 25V ,我
E
= 0
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.5A
*1
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
*1
I
C
= 0.5A ,我
B
= 20mA下
I
C
= 0.5A ,我
B
= 20mA下
V
CB
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
200
10
1.0
200
60
0.13
0.4
1.2
V
V
兆赫
pF
25
20
12
0.1
800
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
s
电气特性
q
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
抗性
q
Tr2
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -2mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CB
= -20V ,我
E
= 0
V
CE
= -10V ,我
E
= 0
V
CE
= -10V ,我
C
= -2mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 1mA时, F = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
160
– 0.3
80
2.7
–60
–50
–7
– 0.1
–100
460
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
*2
脉冲测量
R
on
测试电路
I
B
=1mA
f=1kHz
V=0.3V
1kΩ
V
B
V
V
V
A
R
on
=
V
B
!1000(Ω)
V
A
–V
B
2