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    XN1401 参数 Datasheet PDF下载

    XN1401图片预览
    型号： XN1401
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面晶体管 [Silicon PNP epitaxial planer transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 45 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号XN1401的Datasheet PDF文件第2页浏览型号XN1401的Datasheet PDF文件第3页  
    复合晶体管
    XN1401
    PNP硅外延平面晶体管
    单位：mm
    对于一般的放大
    2.8
    -0.3
    0.65±0.15
    +0.2
    +0.25
    1.5
    -0.05
    5
    0.65±0.15
    1
    0.95
    2.9
    -0.05
    q
    q
    两个元素合并到一个包中。
    （发射极耦合晶体管）
    由一个半减少安装面积和装配成本。
    1.9±0.1
    +0.2
    4
    0.95
    3
    2
    0.3
    -0.05
    0.4±0.2
    0.16
    -0.06
    +0.1
    1.1
    -0.1
    q
    2SB709A
    ×
    2元
    0.8
    s
    元素的基本型号
    +0.2
    s
    绝对最大额定值
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    等级
    发射器基极电压
    of
    元集电极电流
    峰值集电极电流
    总功耗
    总体结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    T
    T
    j
    T
    英镑
    (Ta=25˚C)
    评级
    –60
    –50
    –7
    –100
    –200
    300
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    ˚C
    ˚C
    1 ：收藏家（ Tr1的）
    2 ：收藏家（ TR2）
    3 ：基地（ TR2）
    0-0.1
    为0.1〜 0.3
    4 ：发射器
    5 ：基地（ Tr1的）
    EIAJ ： SC- 74A
    迷你型PAKAGE （ 5针）
    标记符号：
    5V
    内部连接
    5
    4
    3
    2
    Tr1
    1
    Tr2
    s
    电气特性
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    收藏家Cuto FF电流
    正向电流传输比
    正向电流办理H
    FE
    比
    集电极到发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    *1
    (Ta=25˚C)
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    h
    FE
    h
    FE
    （小/大）
    *1
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    条件
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    = 0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    = 0
    V
    CE
    = -10V ，我
    B
    = 0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -2mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -2mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -10mA
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 1mA时， F = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    160
    0.5
    0.99
    – 0.3
    80
    2.7
    – 0.5
    V
    兆赫
    pF
    民
    –60
    –50
    –7
    – 0.1
    –100
    460
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    2个元素之间的比例
    +0.1
    1.45±0.1
    s
    特点
    1

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