UN5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
晶体管具有内置电阻器521d中/ 521e中/ 521F / 521K / 521L / 521M / 521N / 521T / 521V / 521Z
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN5211
UN5212/5214/521E/521D/521M/521N/521T
UN5213
辐射源
截止
当前
UN5215/5216/5217/5210
UN521F/521K
UN5219
UN5218/521L/521V
UN521Z
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
UN5211
UN5212/521E
UN5213/5214/521M
前锋
当前
转让
比
UN5215*/5216*/5217*/5210*
UN521F/521D/5219
UN5218/521K/521L
UN521N/521T
UN521V
UN521Z
集电极到发射极饱和电压
UN521V
输出电压较高水平
输出电压低的水平
UN5213/521K
UN521D
UN521E
跃迁频率
UN5211/5214/5215/521K
UN5212/5217/521T
输入
电阻
tance
UN5213/521D/521E/5210
UN5216/521F/521L/521N/521Z
UN5218
UN5219
UN521M/521V
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
民
典型值
最大
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
I
EBO
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
0.01
1.0
1.5
2.0
0.4
V
CBO
V
首席执行官
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
50
50
35
60
80
160
h
FE
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
30
20
80
6
60
V
CE （ SAT ）
V
OH
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.5毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ，R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ，R
L
= 1kΩ
V
OL
V
OC
= 5V, V
B
= 3.5V ，R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5V, V
B
= 10V ，R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5V, V
B
= 6V ，R
L
= 1kΩ
f
T
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
150
10
22
47
R
1
(–30%)
4.7
0.51
1
2.2
(+30%)
kΩ
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
兆赫
V
400
20
200
0.25
0.25
V
V
V
460
V
V
mA
单位
µA
µA
* h
FE
等级分类（ UN5125 / 5216 /五千二百一十分之五千二百十七）
秩
h
FE
Q
160至260
R
210〜 340
S
290〜 460
2
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
