UN5111/5112/5113/5114/5115/5116/5117/5118/5119/5110/
晶体管具有内置电阻511D / 511E / 511F / 511H / 511L / 511M / 511N / 511T / 511V / 511Z
UN511H的特性图
I
C
— V
CE
–120
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
240
V
CE
=–10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25˚C
–100
正向电流传输比H
FE
200
集电极电流I
C
（MA ）
–10
–80
I
B
=–0.5mA
–0.4mA
160
Ta=75˚C
120
25˚C
80
–25˚C
40
–60
–0.3mA
–40
–0.2mA
–20
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–1
Ta=75˚C
25˚C
–0.1
–25˚C
–0.01
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
V
IN
— I
O
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
–100
V
O
=–0.2V
Ta=25˚C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
4
输入电压V
IN
(V)
–10
3
–1
2
–0.1
1
0
–1
–3
–10
–30
–100
–0.01
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN511L的特性图
I
C
— V
CE
–240
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
240
V
CE
= –10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25˚C
–200
正向电流传输比H
FE
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–1
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
200
集电极电流I
C
（MA ）
–160
I
B
=–1.0mA
–0.8mA
–80
–0.6mA
–0.4mA
–0.2mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
160
–120
120
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
80
–40
40
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
13
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
