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UN2216 参数 Datasheet PDF下载

UN2216图片预览
型号: UN2216
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管 [Silicon NPN epitaxial planer transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 17 页 / 236 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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UN2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
晶体管具有内置电阻221D / 221E / 221F / 221K / 221L / 221M / 221N / 221T / 221V / 221Z
UN2218的特性图
I
C
— V
CE
240
100
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
Ta=25˚C
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
160
V
CE
=10V
200
30
10
3
1
Ta=75˚C
0.3
0.1
0.03
–25˚C
0.01
0.1
25˚C
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
160
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
0.7mA
120
Ta=75˚C
80
25˚C
–25˚C
40
120
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
0.2mA
0
0
2
4
6
8
0.1mA
10
12
80
40
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25˚C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25˚C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
输出电流I
O
(
µA
)
4
300
100
30
10
3
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UN2219的特性图
I
C
— V
CE
240
100
V
CE ( SAT )
— I
C
I
C
/I
B
=10
160
h
FE
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
Ta=25˚C
200
V
CE
=10V
160
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
10
3
1
Ta=75˚C
0.3
25˚C
0.1
0.03
–25˚C
0.01
0.1
正向电流传输比H
FE
30
集电极电流I
C
(MA )
120
120
0.5mA
0.4mA
0.3mA
40
0.2mA
0.1mA
0
0
2
4
6
8
10
12
80
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
80
40
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
9