UN2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
晶体管具有内置电阻221D / 221E / 221F / 221K / 221L / 221M / 221N / 221T / 221V / 221Z
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN2211
UN2212/2214/221E/221D/221M/221N/221T
UN2213
辐射源
截止
当前
UN2215/2216/2217/2210
UN221F/221K
UN2219
UN2218/221L/221V
UN221Z
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
UN2211
UN2212/221E
前锋
当前
转让
比
UN2213/2214/221M
UN2215*/2216*/2217*/2210*
UN221F/221D/2219
UN2218/221K/221L
UN221N/221T
UN221V
集电极到发射极饱和电压
UN221V
输出电压较高水平
输出电压低的水平
UN2213/221K
UN221D
UN221E
跃迁频率
UN2211/2214/2215/221K
UN2212/2217/221T
输入
电阻
tance
UN2213/221D/221E/2210
UN2216/221F/221L/221N/221Z
UN2218
UN2219
UN221M/221V
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
民
典型值
最大
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
I
EBO
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
0.01
1.0
1.5
2.0
0.4
V
CBO
V
首席执行官
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
50
50
35
60
80
h
FE
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
160
30
20
80
60
V
CE （ SAT ）
V
OH
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.5毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ，R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ，R
L
= 1kΩ
V
OL
V
CC
= 5V, V
B
= 3.5V ，R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5V, V
B
= 10V ，R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5V, V
B
= 6V ，R
L
= 1kΩ
f
T
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
150
10
22
47
R
1
(–30%)
4.7
0.51
1
2.2
(+30%)
kΩ
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
兆赫
V
0.04
400
200
0.25
0.25
V
V
—
460
V
V
mA
单位
µA
µA
* h
FE
等级分类（ UN2215 / 2216 /二千二百十分之二千二百一十七）
秩
h
FE
Q
160至260
R
210〜 340
S
290〜 460
2
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
