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UN2212 参数 Datasheet PDF下载

UN2212图片预览
型号: UN2212
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管 [Silicon NPN epitaxial planar transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 17 页 / 433 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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UNR221x系列
UNR221E的特性图
I
C
V
CE
I
B
= 1.0毫安0.7毫安
T
a
=
25°C
0.9毫安
0.6毫安
0.8毫安
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
160
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
60
正向电流传输比H
FE
50
集电极电流I
C
(MA )
10
120
T
a
=
75°C
25°C
−25°C
40
0.3毫安0.2毫安
0.4毫安
0.5毫安
0.1毫安
30
1
T
a
=
75°C
80
20
25°C
0.1
40
10
−25°C
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1MHz
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(µA)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR221F的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
160
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
240
160
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
I
B
=
1.0毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
10
正向电流传输比H
FE
200
集电极电流I
C
(MA )
120
120
1
T
a
=
75°C
T
a
=
75°C
80
25°C
−25°C
80
25°C
0.1
40
40
0.2毫安
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
−25°C
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
SJH00010CED
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