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UN211H 参数 Datasheet PDF下载

UN211H图片预览
型号: UN211H
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内容描述: PNP硅外延平面晶体管 [Silicon PNP epitaxial planer transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 17 页 / 237 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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晶体管具有内置电阻
UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z
PNP硅外延平面晶体管
对于数字电路
0.65±0.15
2.8
–0.3
+0.2
单位:mm
0.65±0.15
1.5
–0.05
+0.25
s
特点
0.95
q
2
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
标记符号(R
1
)
UN2111
6A
10kΩ
UN2112
6B
22kΩ
UN2113
6C
47kΩ
UN2114
6D
10kΩ
UN2115
6E
10kΩ
UN2116
6F
4.7kΩ
UN2117
6H
22kΩ
UN2118
6I
0.51kΩ
UN2119
6K
1kΩ
UN2110
6L
47kΩ
UN211D
6M
47kΩ
UN211E
6N
47kΩ
UN211F
6O
4.7kΩ
UN211H
6P
2.2kΩ
UN211L
6Q
4.7kΩ
UN211M
EI
2.2kΩ
UN211N
EW
4.7kΩ
UN211T
EY
22kΩ
UN211V
FC
2.2kΩ
UN211Z
FE
4.7kΩ
(R
2
)
10kΩ
22kΩ
47kΩ
47kΩ
5.1kΩ
10kΩ
10kΩ
22kΩ
10kΩ
10kΩ
4.7kΩ
47kΩ
47kΩ
47kΩ
2.2kΩ
22kΩ
1.1
–0.1
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 59
迷你型包装
内部连接
R1
0-0.1
为0.1〜 0.3
0.4±0.2
0.8
C
B
R2
E
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
评级
–50
–50
–100
200
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
˚C
˚C
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
s
电阻产品型号
0.4
–0.05
+0.1
q
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
迷你型封装,设备,允许小型化,
自动插入通带包装和杂志的包装。
2.9
–0.05
1
1.9±0.2
+0.2
0.95
3
1.45
1