UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
晶体管具有内置电阻211D / 211E / 211F / 211H / 211L / 211M / 211N / 211T / 211V / 211Z
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN2111
UN2112/2114/211E/211D/211M/211N/211T
UN2113
辐射源
截止
当前
UN2115/2116/2117/2110
UN211F/211H
UN2119
UN2118/211L/211V
UN211Z
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
UN2111
UN2112/211E
UN2113/2114/211M
前锋
当前
转让
比
UN2115*/2116*/2117*/2110*
UN2119/211F/211D/211H
UN2118/211L
UN211N/211T
UN211V
UN211Z
集电极到发射极饱和电压
UN211V
输出电压较高水平
输出电压低的水平
UN2113
UN211D
UN211E
跃迁频率
UN2111/2114/2115
UN2112/2117/211T
输入
电阻
tance
UN2113/2110/211D/211E
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
条件
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
民
典型值
最大
– 0.1
– 0.5
– 0.5
– 0.2
– 0.1
I
EBO
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
– 0.01
–1.0
–1.5
–2.0
– 0.4
V
CBO
V
首席执行官
I
C
= -10mA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
–50
–50
35
60
80
160
h
FE
V
CE
= -10V ，我
C
= -5mA
30
20
80
6
60
V
CE （ SAT ）
V
OH
I
C
= -10mA ，我
B
= - 0.3毫安
I
C
= -10mA ，我
B
= -1.5mA
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ，R
L
= 1kΩ
V
CC
= –5V, V
B
= -2.5V ，R
L
= 1kΩ
V
OL
V
CC
= –5V, V
B
= -3.5V ，R
L
= 1kΩ
V
CC
= –5V, V
B
= ± 10V ，R
L
= 1kΩ
V
CC
= –5V, V
B
= -6V ，R
L
= 1kΩ
f
T
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 200MHz的
80
10
22
47
(–30%)
4.7
0.51
1
2.2
(+30%)
kΩ
–4.9
– 0.2
– 0.2
– 0.2
– 0.2
兆赫
V
– 0.07
400
20
200
– 0.25
– 0.25
V
V
V
460
V
V
mA
单位
µA
µA
UN2116 / 211F / 211L / 211N / 211Z ř
1
UN2118
UN2119
UN211H/211M/211V
* h
FE
等级分类（ UN2115 / 2116 / 2110分之2117 ）
秩
h
FE
Q
160至260
R
210〜 340
S
290〜 460
2
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
