UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
晶体管具有内置电阻211D / 211E / 211F / 211H / 211L / 211M / 211N / 211T / 211V / 211Z
UN2115的特性图
I
C
— V
CE
–160
–100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25˚C
I
C
/I
B
=10
400
h
FE
— I
C
V
CE
= –10V
集电极电流I
C
（MA ）
–120
–100
–80
–60
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–25˚C
–0.01
–0.1 –0.3
–1
25˚C
Ta=75˚C
正向电流传输比H
FE
–140
I
B
=–1.0mA
–30
300
Ta=75˚C
200
25˚C
–25˚C
100
–40
–0.1mA
–20
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
–10000
–3000
V
O
=–5V
Ta=25˚C
–100
–30
V
IN
— I
O
V
O
= –0.2V
Ta=25˚C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
µA
)
4
–300
–100
–30
–10
–3
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
3
2
1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN2116的特性图
I
C
— V
CE
–160
–100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25˚C
I
C
/I
B
=10
400
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
25˚C
Ta=75˚C
h
FE
— I
C
V
CE
= –10V
集电极电流I
C
（MA ）
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–120
–100
–80
–60
–40
–20
0
0
–2
–4
–6
–8
正向电流传输比H
FE
–140
I
B
=–1.0mA
300
Ta=75˚C
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
200
25˚C
–25˚C
100
–0.1mA
–25˚C
–10
–12
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
7
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
