AN8028
s
应用注释（续）
[1 ]操作说明（续）
稳压器
4.伪共振操作（功率MOSFET的导通延时电路） （续）
作为用于导通功率MOSFET中，通过选择R9和C9的恒定，从而确定延迟时间
它导通时的共振频率的1/2周期。
在一个简化的方法中，选择使电压波形导通在零电压。 （参见图6）。
可以由下面的等式来获得共振频率的近似值：
f
SYNC
=
1
2π
√L
· C
[赫兹]
C：谐振电容
L：变压器的初级线圈电感
因此，导通延迟时间t
概率pd （上）
为在谐振频率的1/2周期接通功率MOSFET
如下所示：
t
概率pd （上）
= π √L
· C [ S]
在R9和C9选择5.注意事项
如果过低电阻被选择为R 9 ，电源开始后的电流流入TDL终端
供应超出最大额定值，并有引起误动作（破坏了的可能性
最坏的情况下） 。因此建议约8千欧到10kΩ被选择为R 9 ，但是其依赖于供给
电压从偏置线圈。
因此，调节吨
概率pd （上）
与C9从变压器的电感变换之后被使用，且
谐振电容。
t
pd
V
DS
V
IN
AC整流后
V
CC
C8
R9
TDL
SBD
C9
0.32 V
0六
D
R1
V
P
0V
V
TDL
V
P
V
IN
V
TDL
2.8 V典型值。
V
OUT
SBD
I
D
R7
C7
0V
图6
图5
6.过电流保护电路
电源输出的过电流是成比例的电流流过主开关的值
在初级侧（功率MOSFET） 。电源服用的上述事实的优势，在过电流
输出，通过控制脉冲电流流过主开关的上限，以保护受限制
部件容易被过电流损坏。
流过主开关的电流被监视低电阻器两端的电压来检测
其连接功率MOSFET的源极和电源GND之间。当功率MOSFET
被接通，并在检测的CLM （电流限制）的阈值电压时，电路断开输出和匝
断功率MOSFET来控制，以便不以允许进一步的电流流动。 CLM的阈值电压是
约
−
0.2 V （典型值）下的牛逼
a
=
25 ℃，相对于GND 。这种控制被重复为每个周期。一旦
当检测到过电流时，断开状态是在该周期期间保持和它不能被打开，直到下一个
周期。在上述的过流检测方法称为"pulse逐脉冲过电流detection" 。
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PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
