飞利浦半导体
产品speci fi cation
单路2输入或门
特点
•
宽电源电压范围从1.65 V至5.5 V
•
高噪声抗扰度
•
符合JEDEC标准：
- JESD8-7 （ 1.65 V至1.95 V）
- JESD8-5 （ 2.3 V至2.7 V ）
- JESD8B / JESD36 （ 2.7 V至3.6 V ） 。
• ±24
mA输出驱动（V
CC
= 3.0 V)
•
CMOS低功耗
•
闭锁性能超过250毫安
•
直接接口与TTL电平
•
输入接收电压高达5 V
•
多种封装选择
•
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
•
从指定的
−40 °C
+85
°C
和
−40 °C
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.5纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
输入A，B为输出Y.
条件
V
CC
= 1.8 V ; ç
L
= 30 pF的; ř
L
= 1 kΩ
V
CC
= 2.5 V ; ç
L
= 30 pF的; ř
L
= 500
Ω
V
CC
= 2.7 V ; ç
L
= 50 pF的; ř
L
= 500
Ω
V
CC
= 3.3 V ; ç
L
= 50 pF的; ř
L
= 500
Ω
V
CC
= 5.0 V ; ç
L
= 50 pF的; ř
L
= 500
Ω
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
µW).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
输入电容
每个缓冲区V电源耗散电容
CC
= 3.3 V ;注1和2
描述
74LVC1G32
该74LVC1G32是一款高性能，低功耗，
低电压，硅栅CMOS器件，优于最
先进的CMOS兼容TTL家庭。
输入可驱动无论从3.3 V或5 V设备。这
特征允许在混合使用这些设备的
3.3 V和5 V环境。
在所有输入施密特触发器动作使电路
宽容的输入速度较慢的上升和下降时间。
此设备是针对局部断电完全指定
使用我的应用
关闭
。在我
关闭
电路关闭输出，
防止损坏回流电流通过
设备时，电源断开。
该74LVC1G32提供了单路2输入或功能。
典型
3.1
2.1
2.5
2.1
1.7
5
16
ns
ns
ns
ns
ns
单位
pF
pF
2004年9月15日
2
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
