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    2SK665 参数 Datasheet PDF下载

    2SK665图片预览
    型号： 2SK665
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 38 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK665的Datasheet PDF文件第1页  
    硅MOS场效应管（小信号）
    P
    D
    Ta
    240
    120
    Ta=25˚C
    200
    100
    100
    2SK665
    I
    D
    V
    DS
    120
    V
    DS
    =5V
    I
    D
    V
    GS
    允许功耗P
    D
    （ mW）的
    漏电流I
    D
    （MA ）
    160
    80
    漏电流I
    D
    （MA ）
    V
    GS
    =6.0V
    5.5V
    5.0V
    4.5V
    40
    80
    Ta=–25˚C
    25˚C
    120
    60
    60
    75˚C
    80
    4.0V
    3.5V
    3.0V
    40
    40
    20
    20
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    环境温度Ta （C ）
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    | Y
    fs
    |
    V
    GS
    50
    C
    国际空间站
    , C
    OSS
    V
    DS
    输入电容（共源）
    输出电容（共源）C
    国际空间站
    ,C
    OSS
    （PF ）
    V
    DS
    =5V
    Ta=25˚C
    V
    GS
    =0
    f=1MHz
    Ta=25˚C
    C
    国际空间站
    8
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    漏源导通电阻R
    DS （ ON）
    (
    Ω
    )
    120
    I
    D
    =20mA
    100
    12
    正向转移导纳| Y
    fs
    | （女士）
    40
    10
    80
    30
    6
    60
    Ta=75˚C
    20
    4
    C
    OSS
    40
    25˚C
    –25˚C
    10
    2
    20
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0.1
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    V
    IN
    I
    O
    1000
    300
    V
    O
    =1V
    Ta=25˚C
    输入电压V
    IN
    (V)
    100
    30
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    输出电流I
    O
    （MA ）
    2

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