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    2SK620 参数 Datasheet PDF下载

    2SK620图片预览
    型号： 2SK620
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 39 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK620的Datasheet PDF文件第2页  
    硅MOS场效应管（小信号）
    2SK620
    硅N沟道MOS FET
    切换
    2.8
    –0.3
    +0.2
    单位：mm
    0.65±0.15
    s
    特点
    q
    高速开关
    q
    迷你型封装，允许套的小型化和自动
    插入通过纸带/杂志填料。
    0.65±0.15
    1.5
    –0.05
    +0.25
    0.95
    2.9
    –0.05
    1
    1.9±0.2
    +0.2
    0.95
    3
    0.4
    –0.05
    +0.1
    2
    1.45
    1.1
    –0.1
    +0.2
    s
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    参数
    漏源击穿电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    最大漏极电流
    允许功耗
    通道温度
    储存温度
    符号
    V
    DSS
    V
    GSO
    I
    D
    I
    DP
    P
    D
    T
    ch
    T
    英镑
    评级
    50
    8
    100
    200
    150
    150
    −55
    +150
    单位
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    °C
    °C
    1 ：门
    2 ：源
    3 ：排水
    JEDEC ： TO- 236
    EIAJ ： SC- 59
    迷你型包装（ 3针）
    标记符号： 3N
    内部连接
    D
    G
    0-0.1
    为0.1〜 0.3
    0.4±0.2
    0.8
    S
    s
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    参数
    漏极到源极截止电流
    门源漏电流
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    符号
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    DSS
    V
    th
    条件
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 0
    V
    GS
    = 8V, V
    DS
    = 0
    I
    D
    = 100μA ，V
    GS
    = 0
    I
    D
    = 100μA ，V
    DS
    = V
    GS
    I
    D
    = 20mA时， V
    GS
    = 5V
    I
    D
    = 20mA时， V
    DS
    = 5V ， F = 1kHz时
    V
    DS
    = 5V, V
    GS
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    DD
    = 5V, V
    GS
    = 0〜 5V ，R
    L
    = 200Ω
    V
    DD
    = 5V, V
    GS
    = 5〜 0V ，R
    L
    = 200Ω
    10
    20
    民
    典型值
    最大
    10
    50
    50
    1.5
    20
    30
    15
    5
    1
    3.5
    50
    单位
    µA
    nA
    V
    V
    Ω
    mS
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    正向转移导纳
    | Y
    fs
    |
    输入电容（共源）C
    国际空间站
    输出电容（共源）C
    OSS
    反向传输电容（共源）C
    RSS
    开启时间
    t
    在*
    打开-O FF时间
    *
    t
    关闭
    V
    OUT
    *
    t
    on
    , t
    关闭
    测量电路
    200Ω
    V
    in
    V
    DD
    = 5V
    V
    OUT
    10%
    10%
    90%
    t
    on
    t
    关闭
    90%
    50Ω
    100µF
    V
    GS
    = 5V
    0.16
    –0.06
    +0.1
    1

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