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    2SK3049 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3049图片预览
    型号： 2SK3049
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道功率的F- MOS FET [Silicon N-Channel Power F-MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 37 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK3049的Datasheet PDF文件第1页  
    动力F- MOS场效应管
    安全操作区（ ASO ）
    100
    30
    10
    t=1ms
    3
    1
    0.3
    100ms
    0.1
    0.03
    0.01
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1000
    DC
    10ms
    60
    2SK3049
    P
    D
    Ta
    10
    (1) T
    C
    = TA
    （2）不带散热片
    IAS最大。
    IAS
    L-负荷
    T
    C
    =25˚C
    允许功耗P
    D
    (W)
    非重复脉冲
    T
    C
    =25˚C
    雪崩电流IAS （ A）
    50
    3
    62.5mJ
    漏电流I
    D
    (A)
    40
    (1)
    30
    1
    0.3
    20
    0.1
    10
    (2)
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    0.03
    0.01
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    环境温度Ta （C ）
    L型负载（毫亨）
    I
    D
    V
    GS
    V
    DS
    =25V
    R
    DS （ ON）
    I
    D
    漏源导通电阻R
    DS （ ON）
    (
    Ω
    )
    2.5
    5
    | Y
    fs
    |
    I
    D
    正向转移导纳| Y
    fs
    | (S)
    V
    GS
    =10V
    V
    DS
    =25V
    T
    C
    =0˚C
    4
    25˚C
    100˚C
    3
    10
    8
    2.0
    T
    C
    =100˚C
    漏电流I
    D
    (A)
    T
    C
    =100˚C
    6
    1.5
    25˚C
    1.0
    0˚C
    4
    25˚C
    0˚C
    2
    2
    0.5
    1
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    R
    日（T ）
    t
    10
    2
    （ 1 ）不带散热片
    （2）在一个100
    ×
    100
    ×
    2毫米铝散热片
    (1)
    热阻R
    th
    （吨）（ C / W）
    10
    (2)
    1
    10
    –1
    10
    –2
    10
    –4
    10
    –3
    10
    –2
    10
    –1
    1
    10
    10
    2
    10
    3
    10
    4
    时间t （S ）
    2

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