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    2SK3042 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3042图片预览
    型号： 2SK3042
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道功率的F- MOS FET [Silicon N-Channel Power F-MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 45 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK3042的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3042的Datasheet PDF文件第3页  
    动力F- MOS场效应管
    安全操作区（ ASO ）
    100
    60
    2SK3042
    P
    D
    Ta
    16
    (1) T
    C
    = TA
    （2）不带散热片
    50
    T
    C
    =25˚C
    14
    12
    10
    7.5V
    8
    7V
    6
    6.5V
    4
    6V
    40W
    2
    (2)
    0
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    0
    5
    10
    15
    20
    5.5V
    5V
    V
    GS
    =15V
    10V
    I
    D
    V
    DS
    30
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    0.01
    1
    3
    10
    DC
    100µs
    1ms
    10ms
    T = 10μs的
    允许功耗P
    D
    (W)
    非重复脉冲
    T
    C
    =25˚C
    漏电流I
    D
    (A)
    40
    30
    (1)
    20
    100ms
    10
    30
    100
    300
    1000
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    环境温度Ta （C ）
    漏电流I
    D
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    I
    D
    V
    GS
    10
    V
    DS
    =10V
    T
    C
    =0˚C
    25˚C
    75˚C
    6.6
    125˚C
    150˚C
    6.4
    6.2
    6.0
    5.8
    5.6
    5.4
    5.2
    5.0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    0
    25
    V
    GS
    T
    C
    V
    DS
    =10V
    I
    D
    =3A
    6
    V
    th
    T
    C
    V
    DS
    =25V
    I
    D
    =1mA
    5
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    8
    栅极阈值电压V
    th
    (V)
    50
    75
    100
    125
    150
    漏电流I
    D
    (A)
    4
    6
    3
    4
    2
    2
    1
    0
    0
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    案例温度T
    C
    (˚C)
    案例温度T
    C
    (˚C)
    R
    DS （ ON）
    I
    D
    漏源导通电阻R
    DS （ ON）
    (
    Ω
    )
    0.6
    8
    | Y
    fs
    |
    I
    D
    正向转移导纳| Y
    fs
    | (S)
    T
    C
    =25˚C
    V
    DS
    =10V
    T
    C
    =25˚C
    C
    国际空间站
    , C
    OSS
    , C
    RSS
    V
    DS
    输入电容（共源） ，输出电容（共源）
    反向传输电容（共源）C
    国际空间站
    ,C
    OSS
    ,C
    RSS
    （PF ）
    10000
    f=1MHz
    T
    C
    =25˚C
    C
    国际空间站
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    3000
    1000
    300
    100
    30
    10
    3
    1
    0
    40
    80
    120
    0.5
    0.4
    V
    GS
    =10V
    15V
    0.3
    C
    OSS
    C
    RSS
    0.2
    0.1
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    160
    200
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    2

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