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2SK3030 参数 Datasheet PDF下载

2SK3030图片预览
型号: 2SK3030
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内容描述: 硅N沟道功率的F- MOS FET [Silicon N-Channel Power F-MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 27 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
   
动力F- MOS场效应管
2SK3030 (试行)
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
雪崩能量容量保证
q
高速开关
q
低导通电阻
q
无二次击穿
q
低电压驱动
q
高压静电击穿电压
q
非接触式继电器
q
潜水电路为一个螺线管
q
驱动电路,一个马达
q
控制设备
q
开关电源
7.3±0.1
1.8±0.1
单位:mm
6.5±0.1
5.3±0.1
4.35±0.1
2.3±0.1
0.5±0.1
s
应用
2.5±0.1
0.8max
0.93±0.1
1.0±0.1
0.1±0.05
0.5±0.1
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
100
±20
±8
±16
3.2
10
1
150
−55
+150
单位
V
V
A
A
mJ
1
2
0.75±0.1
2.3±0.1
4.6±0.1
3
1 :门
2 :排水
3 :源
U型套餐
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
T
C
= 25°C
TA = 25°C
内部连接
W
°C
°C
S
G
D
L = 0.1mH ,我
L
= 8A , 1个脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS(on)1
R
DS(on)2
| Y
fs
|
V
DSF
C
OSS
t
D(上)
t
r
t
f
t
D(关闭)
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
V
DD
= 30V ,我
D
= 4A
V
GS
= 10V ,R
L
= 7.5Ω
条件
V
DS
= 80V, V
GS
= 0
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 4A
V
GS
= 4V ,我
D
= 4A
V
DS
= 10V ,我
D
= 4A
I
DR
= 8A ,V
GS
= 0
290
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
110
30
15
40
190
860
12.5
125
3
100
1
150
170
6
−1.5
2.5
230
260
典型值
最大
10
±10
单位
µA
µA
V
V
mΩ
mΩ
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
° C / W
° C / W
输入电容(共源)C
国际空间站
输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
RSS
开启时间(延迟时间)
上升时间
下降时间
关断时间(延迟时间)
通道与外壳之间的热阻
通道与大气之间的热电阻
1.0±0.2
1