欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK2211 参数 Datasheet PDF下载

2SK2211图片预览
型号: 2SK2211
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 36 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SK2211的Datasheet PDF文件第2页  
硅MOS场效应管(小信号)
2SK2211
硅N沟道MOS FET
单位:mm
切换
2.6
±0.1
4.5
±0.1
1.6
±0.2
1.5
±0.1
低导通电阻R
DS ( ON)
高速开关
小功率型封装,成套,允许小型化,
自动插入通过磁带/杂志包装。
45˚
1.0
–0.2
+0.1
0.4
±0.08
0.5
±0.08
1.5
±0.1
3.0
±0.15
4.0
+0.25
–0.20
0.4
±0.04
s
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
最大漏极电流
允许功耗
*
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
PD
P
D
P
ch
T
英镑
评级
30
±20
±1
±2
1
150
−55
to
+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
3
2
1
记号
1 :门
2 :排水
3 :源
小功率型封装( 3针)
标记符号: 2M
内部连接
D
G
注)* PC板:漏极部的铜箔应该具有的一个区
1厘米
2
或多个与板的厚度应为1.7毫米。
S
s
电气特性
T
a
=
25°C
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极至源极电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
*
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
GSS
V
th
R
DS(ON)1
R
DS(ON)2
正向转移导纳
输入电容(共源)
输出电容(共源)
反向传输电容(共源)
开启时间
下降时间
关断时间(延迟时间)
注) *:脉冲测量
yfs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
ON
t
f
t
关闭
V
GS
=
10 V,I
D
=
0.5 A ,V
DD
=
10 V
R
L
=
10
条件
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0
V
GS
= ±15
V, V
DS
=
0
I
D
=
0.1毫安,V
GS
=
0
I
GS
=
0.1毫安,V
DS
=
0
V
DS
=
5 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
4 V,I
D
=
0.5 A
V
GS
=
10 V,I
D
=
0.5 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.5 A
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
0.5
87
69
23
12
160
60
30
±20
0.8
0.48
0.35
2
0.75
0.6
典型值
最大
10
±10
单位
µA
µA
V
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
2.5
±0.1
s
特点
0.4最大。
1