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    2SK2129 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2129图片预览
    型号： 2SK2129
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道功率的F- MOS FET [Silicon N-Channel Power F-MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 46 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK2129的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2129的Datasheet PDF文件第2页  
    动力F- MOS场效应管
    C
    国际空间站
    , C
    OSS
    , C
    RSS
    V
    DS
    输入电容（共源） ，输出电容（共源）
    反向传输电容（共源）C
    国际空间站
    ,C
    OSS
    ,C
    RSS
    （PF ）
    10000
    f=1MHz
    T
    C
    =25˚C
    2SK2129
    V
    DS
    , V
    GS
    Q
    g
    800
    I
    D
    =3A
    16
    14
    12
    10
    V
    DS
    8
    6
    V
    GS
    4
    2
    0
    60
    300
    t
    D（上）
    , t
    r
    , t
    f
    , t
    D（关闭）
    I
    D
    V
    DD
    =200V
    V
    GS
    =10V
    T
    C
    =25˚C
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    700
    600
    500
    400
    300
    200
    100
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    开关时间t
    D（上）
    ,t
    r
    ,t
    f
    ,t
    D（关闭）
    （纳秒）
    250
    1000
    C
    国际空间站
    200
    100
    C
    OSS
    C
    RSS
    10
    150
    t
    D（关闭）
    100
    t
    r
    t
    f
    t
    D（上）
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    50
    1
    0
    50
    100
    150
    200
    250
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极电荷量Q
    g
    （ NC ）
    漏电流I
    D
    (A)
    3

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