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    2SK2125 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2125图片预览
    型号： 2SK2125
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道功率的F- MOS FET [Silicon N-Channel Power F-MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 49 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK2125的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2125的Datasheet PDF文件第3页  
    动力F- MOS场效应管
    安全操作区（ ASO ）
    50
    10
    2SK2125
    P
    D
    Ta
    24
    EAS
    T
    j
    雪崩能量容量EAS （兆焦耳）
    V
    DD
    =50V
    I
    D
    =2.5A
    20
    I
    DP
    100µs
    允许功耗P
    D
    (W)
    t=10µs
    (1) T
    C
    = TA
    （2）不带散热片
    (P
    D
    =2W)
    40
    漏电流I
    D
    (A)
    3 I
    D
    1ms
    1
    10ms
    100ms
    0.3
    DC
    0.1
    16
    30
    (1)
    12
    20
    8
    10
    (2)
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    4
    非重复脉冲
    T
    C
    =25˚C
    10
    30
    100
    300
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    环境温度Ta （C ）
    结温度T
    j
    (˚C)
    I
    D
    V
    DS
    4.0
    T
    C
    =25˚C
    3.5
    V
    GS
    =10V 7V
    6.5V
    3.0
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    6V
    4
    5
    I
    D
    V
    GS
    6
    V
    DS
    =25V
    V
    th
    T
    C
    V
    DS
    =25V
    I
    D
    =1mA
    5
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    T
    C
    =0˚C
    25˚C
    3
    150˚C
    100˚C
    栅极阈值电压V
    th
    (V)
    12
    4
    3
    2
    2
    40W
    5.5V
    5V
    1
    1
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    案例温度T
    C
    (˚C)
    R
    DS （ ON）
    I
    D
    漏源导通电阻R
    DS （ ON）
    (
    Ω
    )
    12
    3.0
    | Y
    fs
    |
    I
    D
    100
    V
    DS
    =25V
    T
    C
    =25˚C
    I
    DR
    V
    DSF
    V
    GS
    =0
    T
    C
    =25˚C
    正向转移导纳| Y
    fs
    | (S)
    V
    GS
    =10V
    10
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    2.5
    10
    8
    T
    C
    =150˚C
    6
    100˚C
    2.0
    1.5
    1
    4
    25˚C
    0˚C
    1.0
    0.1
    2
    0.5
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    0.01
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    二极管的正向电压V
    DSF
    (V)
    2

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