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    2SK1228 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1228图片预览
    型号： 2SK1228
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 38 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK1228的Datasheet PDF文件第1页  
    硅MOS场效应管（小信号）
    P
    D
    Ta
    240
    48
    2SK1228
    I
    D
    V
    DS
    60
    | Y
    fs
    |
    V
    GS
    正向转移导纳| Y
    fs
    | （女士）
    Ta=25˚C
    V
    DS
    =5V
    f=1kHz
    Ta=25˚C
    允许功耗P
    D
    （ mW）的
    200
    40
    50
    160
    漏电流I
    D
    （MA ）
    32
    V
    GS
    =1.8V
    40
    120
    24
    1.6V
    16
    30
    80
    1.4V
    1.2V
    1.0V
    20
    40
    8
    10
    0
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    环境温度Ta （C ）
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    C
    国际空间站
    , C
    OSS
    , C
    RSS
    V
    DS
    输入电容（共源） ，输出电容（共源）
    反向传输电容（共源）C
    国际空间站
    ,C
    OSS
    ,C
    RSS
    （PF ）
    12
    120
    I
    D
    V
    GS
    V
    DS
    =5V
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    漏源导通电阻R
    DS （ ON）
    (
    Ω
    )
    120
    I
    D
    =10mA
    100
    10
    100
    8
    漏电流I
    D
    （MA ）
    Ta=–25˚C
    80
    25˚C
    75˚C
    60
    80
    6
    C
    OSS
    4
    C
    国际空间站
    2
    C
    RSS
    0
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1000
    60
    Ta=75˚C
    40
    25˚C
    –25˚C
    20
    40
    20
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    V
    IN
    I
    O
    100
    30
    V
    O
    =5V
    Ta=25˚C
    输入电压V
    IN
    (V)
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    0.01
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    输出电流I
    O
    （MA ）
    2

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