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2SD875 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD875
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内容描述: NPN硅外延平面型(对于低频功率放大) [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD875的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SD875
NPN硅外延平面型
对于低频功率放大
补充2SB767
单位:mm
s
特点
q
q
q
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
1.0
–0.2
+0.1
大集电极耗散功率P
C
.
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
小功率型封装,设备的小型化使
并通过带包装和maga-自动插入
杂志包装。
(Ta=25˚C)
2.6±0.1
0.4max.
45°
0.4±0.08
0.5±0.08
1.5±0.1
4.0
–0.20
0.4±0.04
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
3.0±0.15
3
2
1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
评级
80
80
5
1
0.5
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
˚C
˚C
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ :SC- 62
迷你功率型封装
记号
标记符号:
X
印刷电路板:为1cm铜箔区
2
以上,板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
h
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 20V ,我
E
= 0
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 100μA ,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 150毫安
*2
V
CE
= 5V ,我
C
= 500毫安
*2
I
C
= 300毫安,我
B
= 30毫安
*2
I
C
= 300毫安,我
B
=
30mA
*2
V
CB
= 10V ,我
E
= -50mA
*2
中,f = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
80
80
5
130
50
100
0.2
0.85
120
11
*2
典型值
最大
0.1
单位
µA
V
V
V
330
0.4
1.2
兆赫
pF
脉冲测量
FE1
等级分类
h
FE1
R
130 ~ 220
XR
S
185 ~ 330
XS
标记符号
2.5±0.1
+0.25
V
V
1