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2SD2413 参数 Datasheet PDF下载

2SD2413图片预览
型号: 2SD2413
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面类型(低频输出放大) [Silicon NPN triple diffusion planer type(For low-frequency output amplification)]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD2413的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SD2413
硅NPN三重扩散龙门
对于低频输出放大
单位:mm
s
q
q
q
q
q
特点
高集电极到基极电压V
CBO
.
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
大集电极耗散功率P
C
.
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
小功率型封装,设备的小型化使
并通过带包装和maga-自动插入
杂志包装。
2.6±0.1
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
0.4max.
45°
1.0
–0.2
+0.1
0.4±0.08
0.5±0.08
1.5±0.1
3.0±0.15
3
2
1
4.0
–0.20
0.4±0.04
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
(Ta=25˚C)
评级
400
400
5
200
100
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
W
˚C
˚C
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
记号
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
EIAJ :SC- 62
迷你功率型封装
标记符号:
1S
印刷电路板:为1cm铜箔区
2
以上,板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25˚C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
I
C
= 500μA ,我
B
= 0
I
E
= 100μA ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 30毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
CB
= 30V ,我
E
= -20mA , F = 200MHz的
V
CB
= 30V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
40
7
400
400
5
30
1.5
1.5
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
2.5±0.1
+0.25
1