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    2SD2210 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2210图片预览
    型号： 2SD2210
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型（适用于低电压输出放大） [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 45 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SD2210的Datasheet PDF文件第2页  
    晶体管
    2SD2210
    NPN硅外延平面型
    用于低电压输出放大
    静音
    用于DC-DC转换器
    4.5±0.1
    1.6±0.2
    1.5±0.1
    单位：mm
    2.6±0.1
    0.4max.
    s
    特点
    q
    q
    q
    低集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    .
    低导通电阻R
    on
    .
    高盼着电流传输比H
    FE
    .
    (Ta=25˚C)
    评级
    25
    20
    12
    1
    0.5
    1
    150
    –55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    ˚C
    ˚C
    45°
    1.0
    –0.2
    +0.1
    0.4±0.08
    0.5±0.08
    1.5±0.1
    3.0±0.15
    3
    2
    1
    4.0
    –0.20
    0.4±0.04
    s
    绝对最大额定值
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    *
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C*
    T
    j
    T
    英镑
    记号
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    EIAJ ：SC- 62
    迷你功率型封装
    标记符号：
    IK
    印刷电路板：为1cm铜箔区
    2
    以上，板
    厚度1.7毫米的集电极部
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    ON resistanse
    (Ta=25˚C)
    符号
    I
    CBO
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE1*1
    h
    FE2
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    R
    on*3
    *3
    R
    on
    条件
    V
    CB
    = 25V ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 0.5A
    *2
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 1A
    *2
    I
    C
    = 0.5A ，我
    B
    = 20mA下
    I
    C
    = 0.5A ，我
    B
    = 50毫安
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = -50mA ， F = 200MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    民
    典型值
    最大
    1
    单位
    µA
    V
    V
    V
    25
    20
    12
    200
    60
    0.13
    0.4
    1.2
    200
    10
    1.0
    *2
    800
    兆赫
    pF
    Ω
    脉冲测量
    *1
    h
    FE1
    等级分类
    秩
    h
    FE1
    R
    200 ~ 350
    IKR
    S
    300 ~ 500
    IKS
    T
    400 ~ 800
    IKT
    测量电路
    1kΩ
    I
    B
    =1mA
    f=1kHz
    V=0.3V
    V
    B
    V
    V
    V
    A
    标记符号
    R
    on
    =
    V
    B
    !1000(Ω)
    V
    A
    –V
    B
    2.5±0.1
    +0.25
    V
    V
    1

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