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2SD1499 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD1499
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面型(适用于高功率放大) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 47 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD1499的Datasheet PDF文件第2页  
功率晶体管
2SD1499
硅NPN三重扩散平面型
对于高功率放大
补充2SB1063
0.7±0.1
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
单位:mm
4.2±0.2
s
特点
q
q
q
q
正向电流传输极其良好的线性
比H
FE
安全运行的广域( ASO )
高转换频率f
T
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25˚C)
评级
100
100
5
8
5
40
2
150
-55〜 155
单位
V
V
V
A
A
W
˚C
˚C
7.5±0.2
16.7±0.3
φ3.1±0.1
4.0
1.4±0.1
1.3±0.2
14.0±0.5
浸焊
0.5
+0.2
–0.1
0.8±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220全包套餐(一)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
(T
C
=25˚C)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2*
h
FE3
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 100V ,我
E
= 0
V
EB
= 3V ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 20mA下
V
CE
= 5V ,我
C
= 1A
V
CE
= 5V ,我
C
= 3A
V
CE
= 5V ,我
C
= 3A
I
C
= 3A ,我
B
= 0.3A
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.5A , F = 1MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
20
90
20
60
20
1.8
2.0
V
V
兆赫
pF
200
典型值
最大
50
50
单位
µA
µA
正向电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*
h
FE2
等级分类
Q
60至120
P
100至200
h
FE2
1