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2SD1302 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD1302
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内容描述: NPN硅外延平面型(适用于低电压输出放大) [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 44 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD1302的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SD1302
NPN硅外延平面型
用于低电压输出放大
静音
用于DC-DC转换器
5.0±0.2
单位:mm
4.0±0.2
s
特点
q
q
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
评级
25
20
12
1
0.5
600
150
–55 ~ +150
单位
V
V
2.3±0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
13.5±0.5
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
低导通电阻R
on
.
高盼着电流传输比H
FE
.
5.1±0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
V
A
A
mW
˚C
˚C
1 2 3
2.54±0.15
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
JEDEC : TO- 92
EIAJ : SC- 43A
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
ON resistanse
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
R
on*3
条件
V
CB
= 25V ,我
E
= 0
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.5A
*2
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
*2
I
C
= 0.5A ,我
B
= 20mA下
I
C
= 0.5A ,我
B
= 50毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
200
10
1.0
*2
典型值
最大
100
单位
nA
V
V
V
25
20
12
200
60
0.13
0.4
1.2
800
V
V
兆赫
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
R
200 ~ 350
S
300 ~ 500
T
400 ~ 800
*3
R
on
测量电路
1kΩ
h
FE1
I
B
=1mA
f=1kHz
V=0.3V
V
B
V
V
V
A
R
on
=
V
B
!1000(Ω)
V
A
–V
B
1