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2SD1276 参数 Datasheet PDF下载

2SD1276图片预览
型号: 2SD1276
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面型达林顿(对于功率放大) [Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 64 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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功率晶体管
2SD1276 , 2SD1276A
硅NPN三重扩散平面型达林顿
0.7±0.1
进行功率放大
补充2SB950和2SB950A
单位:mm
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
φ3.1±0.1
1.4±0.1
1.3±0.2
0.5
+0.2
–0.1
0.8±0.1
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
4.2±0.2
q
q
14.0±0.5
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SD1276
2SD1276A
2SD1276
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
16.7±0.3
q
高盼着电流传输比H
FE
高速开关
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25˚C)
评级
60
80
60
80
5
8
4
40
2
150
-55到+150
单位
V
发射极电压2SD1276A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
V
A
A
W
˚C
˚C
B
浸焊
4.0
7.5±0.2
s
特点
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220全包套餐(一)
3
内部连接
C
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SD1276
2SD1276A
2SD1276
2SD1276A
2SD1276
2SD1276A
(T
C
=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
V
CB
= 80V ,我
E
= 0
V
CE
= 30V ,我
B
= 0
V
CE
= 40V ,我
B
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 3V ,我
C
= 0.5A
V
CE
= 3V ,我
C
= 3A
I
C
= 3A ,我
B
= 12毫安
I
C
= 5A ,我
B
= 20mA下
V
CE
= 3V ,我
C
= 3A
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.5A , F = 1MHz的
I
C
= 3A ,我
B1
= 12毫安,我
B2
= -12mA ,
V
CC
= 50V
20
0.5
4
1
60
80
1000
2000
典型值
E
最大
200
200
500
500
2
单位
µA
µA
mA
V
正向电流传输比
10000
2
4
2.5
V
V
兆赫
µs
µs
µs
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE2
等级分类
Q
P
2000〜 5000 4000 〜10000
h
FE2
1