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2SD1271 参数 Datasheet PDF下载

2SD1271图片预览
型号: 2SD1271
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内容描述: NPN硅外延平面型(适用于功率开关) [Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 61 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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功率晶体管
2SD1271 , 2SD1271A
NPN硅外延平面型
对于开关电源
补充2SB946和2SB946A
单位:mm
0.7±0.1
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
φ3.1±0.1
1.4±0.1
1.3±0.2
0.5
+0.2
–0.1
0.8±0.1
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
3
4.2±0.2
s
特点
q
q
q
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
大的集电极电流I
C
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25˚C)
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SD1271
2SD1271A
2SD1271
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
16.7±0.3
14.0±0.5
评级
130
150
80
100
7
15
7
40
2
150
-55到+150
单位
V
发射极电压2SD1271A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
V
A
A
W
˚C
˚C
浸焊
4.0
7.5±0.2
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220全包套餐(一)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SD1271
2SD1271A
(T
C
=25˚C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 100V ,我
E
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 3A
I
C
= 5A ,我
B
= 0.25A
I
C
= 5A ,我
B
= 0.25A
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.5A , F = 10MHz时
I
C
= 3A ,我
B1
= 0.3A ,我
B2
= – 0.3A,
V
CC
= 50V
30
0.5
1.5
0.1
80
100
45
90
260
0.5
1.5
V
V
兆赫
µs
µs
µs
典型值
最大
10
50
单位
µA
µA
V
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE2
等级分类
Q
90至180
P
130〜 260
h
FE2
1