欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SD1266 参数 Datasheet PDF下载

2SD1266图片预览
型号: 2SD1266
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅NPN三重扩散平面类型(功率放大) [Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 49 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SD1266的Datasheet PDF文件第1页  
功率晶体管
P
C
- TA
50
5
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
(3)同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
( 4 )不带散热片
(P
C
=2W)
T
C
=25˚C
2SD1266 , 2SD1266A
I
C
— V
CE
8
V
CE
=4V
7
25˚C
6
T
C
=100˚C
5
4
3
2
1
0
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
–25˚C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
(1)
30
I
B
=100mA
90mA
80mA
70mA
60mA
50mA
40mA
30mA
20mA
1
10mA
3
20
2
10
(2)
(3)
(4)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
40
4
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/I
B
=8
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
–25˚C
10000
h
FE
— I
C
10000
V
CE
=4V
3000
1000
300
100
30
10
3
1
0.01 0.03
f
T
— I
C
V
CE
=5V
f=10MHz
T
C
=25˚C
正向电流传输比H
FE
1000
300
100
30
10
3
1
0.01 0.03
T
C
=100˚C
25˚C
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
过渡频率f
T
(兆赫)
3000
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全操作区( ASO )
100
30
10
3
非重复脉冲
T
C
=25˚C
R
日(T )
— t
( 1 )不带散热片
(2)在一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
热阻R
th
(吨)( C / W)
集电极电流I
C
(A)
10
2
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
I
CP
I
C
10ms
DC
t=1ms
10
(2)
1
2SD1266A
2SD1266
10
–1
3
10
30
100
300
1000
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
时间t (S )
2