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2SC5609 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC5609
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 48 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
   
晶体管
2SC5609
PNP硅外延平面型
单位:mm
对于一般的放大
补充2SA2021
I
特点
高盼着电流传输比H
FE
SSS迷你型封装,可小型化和变薄
设备和自动插入通过带包装
0.33
+0.05
–0.02
3
0.10
+0.05
–0.02
(0.40) (0.40)
0.80
±0.05
1.20
±0.05
0.15分钟。
0.23
+0.05
–0.02
1
2
I
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
60
50
7
200
100
100
125
−55
to
+125
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
0-0.01
参数
符号
等级
单位
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
SSS迷你型包装( 3针)
标记符号: 3F
I
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1
h
FE2
集电极到发射极饱和电压
集电极输出电容
跃迁频率
V
CE ( SAT )
C
ob
f
T
条件
V
CB
=
20 V,I
E
=
0
V
CE
=
10 V,I
B
=
0
I
C
=
10
µA,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
I
E
=
10
µA,
I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
2毫安
V
CE
=
2 V,I
C
=
百毫安
I
C
=
百毫安,我
B
=
10毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
V
CB
= 10 V,I
E
=
−2
毫安, F = 200 MHz的
60
50
7
180
90
0.1
3.5
80
0.3
V
pF
兆赫
390
典型值
最大
0.1
100
单位
µA
µA
V
V
V
0.52
±0.03
0.15分钟。
0.80
±0.05
1.20
±0.05
1