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型号: 2SC3937
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内容描述: NPN硅外延平面型(适用于UHF频段低噪声放大) [Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification)]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SC3937的Datasheet PDF文件第2页  
晶体管
2SC3937
NPN硅外延平面型
对于UHF频段低噪声放大
单位:mm
2.1±0.1
s
特点
q
q
q
q
0.425
1.25±0.1
0.425
低噪声系数NF 。
高增益。
高转换频率f
T
.
S-迷你型封装,设备,允许小型化,
通过带包装盒自动插入
包装。
0.65
1
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65
3
2
0.2
0.9±0.1
(Ta=25˚C)
评级
15
10
2
80
150
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
˚C
˚C
0.7±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
0-0.1
0.2±0.1
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 70
S-迷你型包装
标记符号:
2W
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
最大单边功率增益
FOWARD转让收益
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
f
T
C
ob
NF
GUM
| S
21e
|
2
条件
V
CB
= 15V ,我
E
= 0
V
EB
= 1V ,我
C
= 0
V
CE
= 8V ,我
C
= 20mA下
V
CE
= 1V ,我
C
= 3毫安
V
CE
= 8V ,我
C
= 20mA时, F = 800MHz的
V
CE
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= 8V ,我
C
= 7毫安中,f = 800MHz的
V
CE
= 8V ,我
C
= 20mA时, F = 800MHz的
V
CE
= 8V ,我
C
= 20mA时, F = 800MHz的
50
80
6
0.7
1
14
13
1.2
1.7
150
典型值
最大
1
1
300
280
GHz的
pF
dB
dB
dB
单位
µA
µA
0.15
–0.05
+0.1
0.3
–0
+0.1
1