欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    2SC2480 参数 Datasheet PDF下载

    2SC2480图片预览
    型号： 2SC2480
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型（适用于高频放大/振荡/混合） [Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification / oscillation / mixing)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 77 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC2480的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2480的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SC2480
    NPN硅外延平面型
    单位：mm
    用于高频放大/振荡/混合
    0.40
    +0.10
    –0.05
    3
    0.16
    +0.10
    –0.06
    1.50
    +0.25
    –0.05
    2.8
    +0.2
    –0.3
    I
    特点
    •
    高转换频率f
    T
    •
    迷你型封装，设备，允许小型化，
    通过带包装盒自动插入
    包装。
    1
    2
    (0.95) (0.95)
    1.9
    ±0.1
    2.90
    +0.20
    –0.05
    10°
    1.1
    +0.2
    –0.1
    (0.65)
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    30
    20
    3
    50
    150
    150
    −55
    to
    +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    1 ：基本
    2 ：发射器
    3 ：收藏家
    0-0.1
    I
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    1.1
    +0.3
    –0.1
    JEDEC ： TO- 236
    EIAJ ： SC- 59
    迷你型包装
    标识标志：
    I
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 基极电压
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    基地发射极电压
    跃迁频率
    *
    共发射极反向传输
    电容
    功率增益
    注） *：等级分类
    秩
    f
    T
    （兆赫）
    标记符号
    T
    S
    无秩
    符号
    V
    CBO
    V
    EBO
    h
    FE
    V
    BE
    f
    T
    C
    re
    C
    rb
    PG
    条件
    I
    C
    =
    100
    µA,
    I
    E
    =
    0
    I
    E
    =
    10
    µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = −2
    mA
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = −2
    mA
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = −15
    毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = −1
    毫安，女
    =
    10.7兆赫
    V
    CE
    =
    6 V，I
    C
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = −1
    毫安，女
    =
    200兆赫
    800
    民
    30
    3
    25
    720
    1 300
    1
    0.8
    20
    1 600
    1.5
    250
    mV
    兆赫
    pF
    pF
    dB
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    800〜 1 400 1 000〜 1 600 800 〜1 600
    RT
    RS
    R
    无等级的产品不分类网络版，并没有任何迹象的排名。
    0.4
    ±0.2
    5°
    1

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6