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    2SC2258 参数 Datasheet PDF下载

    2SC2258图片预览
    型号： 2SC2258
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN三重扩散平面型 [Silicon NPN triple diffusion planar type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 72 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC2258的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2258的Datasheet PDF文件第3页  
    功率晶体管
    2SC2258
    硅NPN三重扩散平面型
    对于高击穿电压一般放大
    ■
    特点
    •
    高集电极 - 发射极电压（基本开）V
    首席执行官
    •
    高转换频率f
    T
    •
    TO- 126B封装，无需保温板功能的安装
    灰到散热器
    φ
    3.16
    ±0.1
    8.0
    +0.5
    –0.1
    单位：mm
    3.2
    ±0.2
    3.8
    ±0.3
    11.0
    ±0.5
    1.9
    ±0.1
    ■
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    250
    250
    7
    100
    150
    1.2
    *1
    4
    *2
    结温
    储存温度
    150
    −55
    to
    +150
    °C
    °C
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    W
    1
    2
    0.75
    ±0.1
    4.6
    ±0.2
    0.5
    ±0.1
    0.5
    ±0.1
    2.3
    ±0.2
    3
    1.76
    ±0.1
    注）* 1 ：不带散热片
    * 2 ：使用100
    ×
    100
    ×
    2毫米铝散热片
    ■
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    基射极电压
    集电极 - 发射极截止电流
    （ B和E之间的电阻）
    正向电流传输比
    符号
    V
    EBO
    V
    BE
    I
    CER
    h
    FE1
    h
    FE2
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    （共同的基础，输入开路）
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    条件
    I
    E
    =
    0.1毫安，我
    C
    =
    0
    V
    CE
    =
    20 V，I
    C
    =
    40毫安
    V
    CE
    =
    250 V ，R
    BE
    =
    100 kΩ
    V
    CE
    =
    20 V，I
    C
    =
    40毫安
    V
    CE
    =
    50 V，I
    C
    =
    5毫安
    I
    C
    =
    50毫安，我
    B
    =
    5毫安
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = −10
    毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    =
    50 V，I
    E
    =
    0, f
    =
    1兆赫
    100
    3.0
    4.5
    40
    30
    1.2
    V
    兆赫
    pF
    民
    7
    1.2
    100
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    µA
    注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
    16.0
    ±1.0
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    TO- 126B -A1套餐
    3.05
    ±0.1
    出版日期： 2003年1月
    SJD00098BED
    1

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