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2SC1384 参数 Datasheet PDF下载

2SC1384图片预览
型号: 2SC1384
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内容描述: NPN硅外延平面型(对于低频功率放大和驱动放大) [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification)]
分类和应用: 驱动
文件页数/大小: 3 页 / 50 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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晶体管
P
C
- TA
1.2
1.5
Ta=25˚C
2SC1383 , 2SC1384
I
C
— V
CE
1.2
V
CE
=10V
Ta=25˚C
1.0
I
C
— I
B
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
1.25
集电极电流I
C
(A)
0.8
1.0
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
集电极电流I
C
(A)
I
B
=10mA
9mA
0.8
0.6
0.75
0.6
0.4
0.5
3mA
2mA
0.4
0.2
0.25
1mA
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
12
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(MA )
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
3
1
Ta=75˚C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
0.01 0.03
25˚C
–25˚C
V
BE ( SAT )
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
100
30
10
3
25˚C
1
75˚C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=–25˚C
I
C
/I
B
=10
600
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
正向电流传输比H
FE
500
400
300
Ta=75˚C
200
25˚C
100
–25˚C
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
— I
E
200
180
C
ob
— V
CB
50
120
V
CER
— R
BE
集电极到发射极电压V
CER
(V)
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
I
C
=10mA
Ta=25˚C
100
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CB
=10V
Ta=25˚C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
过渡频率f
T
(兆赫)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–1
80
60
2SC1384
40
2SC1383
20
–3
–10
–30
–100
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
发射极电流I
E
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
基极 - 射极电阻R
BE
(kΩ)
2