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    2SC1383 参数 Datasheet PDF下载

    2SC1383图片预览
    型号： 2SC1383
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型（对于低频功率放大和驱动放大） [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification)]
    分类和应用： 驱动
    文件页数/大小： 3 页 / 50 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC1383的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC1383的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SC1383 ， 2SC1384
    NPN硅外延平面型
    对于低频功率放大和驱动放大
    补充2SA683和2SA684
    5.9±0.2
    单位：mm
    4.9±0.2
    q
    q
    低集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    .
    互补配对2SA683和2SA684 。
    (Ta=25˚C)
    评级
    30
    60
    25
    50
    5
    1.5
    1
    1
    150
    –55 ~ +150
    单位
    V
    2.54±0.15
    +0.3
    +0.2
    s
    绝对最大额定值
    参数
    集电极
    基极电压
    集电极
    2SC1383
    2SC1384
    2SC1383
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    发射极电压2SC1384
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    V
    0.45
    –0.1
    0.45
    –0.1
    1.27
    +0.2
    V
    A
    A
    W
    ˚C
    ˚C
    1.27
    13.5±0.5
    0.7
    –0.2
    0.7±0.1
    8.6±0.2
    s
    特点
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家基地
    电压
    集电极到发射极
    电压
    2SC1383
    2SC1384
    2SC1383
    2SC1384
    (Ta=25˚C)
    符号
    I
    CBO
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE1*1
    h
    FE2
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    条件
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 2毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 500毫安
    *2
    V
    CE
    = 5V ，我
    B
    = 1A
    *2
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    *2
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    *2
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = -50mA ， F = 200MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    30
    60
    25
    50
    5
    85
    50
    160
    100
    0.2
    0.85
    200
    11
    *2
    民
    典型值
    3.2
    1
    2
    3
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    EIAJ ： SC- 51
    TO- 92L封装
    最大
    0.1
    单位
    µA
    V
    V
    V
    340
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    0.4
    1.2
    V
    V
    兆赫
    20
    pF
    脉冲测量
    *1
    h
    FE1
    等级分类
    Q
    85 ~ 170
    R
    120 ~ 240
    S
    170 ~ 340
    秩
    h
    FE1
    1

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