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    2SC1318 参数 Datasheet PDF下载

    2SC1318图片预览
    型号： 2SC1318
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面型（对于低频功率放大和驱动放大） [Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification)]
    分类和应用： 晶体晶体管驱动
    文件页数/大小： 3 页 / 70 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC1318的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC1318的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SC1317 ， 2SC1318
    NPN硅外延平面型
    单位：mm
    对于低频功率放大和驱动放大
    补充2SA719和2SA720
    I
    特点
    •
    低集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    •
    互补配对2SA719和2SA720
    0.7
    ±0.1
    5.0
    ±0.2
    4.0
    ±0.2
    0.7
    ±0.2
    13.5
    ±0.5
    I
    绝对最大额定值
    T
    a
    =
    25°C
    参数
    集电极
    基极电压
    集电极
    发射极电压
    2SC1317
    2SC1318
    2SC1317
    2SC1318
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    V
    首席执行官
    符号
    V
    CBO
    等级
    30
    60
    25
    50
    7
    1
    500
    625
    150
    −55
    to
    +150
    V
    A
    mA
    mW
    °C
    °C
    V
    123
    2.54
    ±0.15
    单位
    V
    5.1
    ±0.2
    0.45
    +0.15
    –0.1
    (1.27)
    (1.27)
    2.3
    ±0.2
    0.45
    +0.15
    –0.1
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    TO- 92封装
    I
    电气特性
    T
    a
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    集电极
    基极电压
    集电极
    发射极电压
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    *1
    集电极到发射极饱和电压
    *1
    基地发射极饱和电压
    *1
    跃迁频率
    集电极输出电容
    注）* 1 ：脉冲测量
    * 2 ：等级分类
    秩
    h
    FE1
    Q
    85至170
    R
    120至240
    S
    170至340
    2SC1317
    2SC1318
    2SC1317
    2SC1318
    V
    EBO
    h
    FE1 * 2
    h
    FE2
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    I
    E
    =
    10
    µA,
    I
    C
    =
    0
    V
    CE
    =
    10 V，I
    C
    =
    150毫安
    V
    CE
    =
    10 V，I
    C
    =
    500毫安
    I
    C
    =
    300毫安，我
    B
    =
    30毫安
    I
    C
    =
    300毫安，我
    B
    =
    30毫安
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = −50
    毫安，女
    =
    200兆赫
    V
    CB
    =
    10 V，I
    E
    = 0,
    f
    =
    1兆赫
    V
    首席执行官
    I
    C
    =
    10毫安，我
    B
    =
    0
    符号
    I
    CBO
    V
    CBO
    条件
    V
    CB
    =
    20 V，I
    E
    =
    0
    I
    C
    =
    10
    µA,
    I
    E
    =
    0
    30
    60
    25
    50
    7
    85
    40
    0.35
    1.1
    200
    6
    15
    0.6
    1.5
    V
    V
    兆赫
    pF
    340
    V
    V
    民
    典型值
    最大
    0.1
    单位
    µA
    V
    1

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