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2SB950 参数 Datasheet PDF下载

2SB950图片预览
型号: 2SB950
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内容描述: PNP硅外延平面型达林顿(对于功率放大和开关) [Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching)]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 2 页 / 64 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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功率晶体管
2SB950 , 2SB950A
PNP硅外延平面型达林顿
4.2±0.2
对于功率放大和开关
补充2SD1276和2SD1276A
0.7±0.1
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
单位:mm
7.5±0.2
s
特点
q
q
q
高盼着电流传输比H
FE
高速开关
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25˚C)
评级
–60
–80
–60
–80
–5
–8
–4
40
2
150
-55到+150
单位
V
16.7±0.3
φ3.1±0.1
14.0±0.5
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SB950
2SB950A
2SB950
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
4.0
1.4±0.1
1.3±0.2
浸焊
0.5
–0.1
0.8±0.1
+0.2
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
发射极电压2SB950A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
V
A
A
W
˚C
˚C
B
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220全包套餐(一)
3
内部连接
C
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB950
2SB950A
2SB950
2SB950A
2SB950
2SB950A
E
(T
C
=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
BE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= -60V ,我
E
= 0
V
CB
= -80V ,我
E
= 0
V
CE
= -30V ,我
B
= 0
V
CE
= -40V ,我
B
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -30mA ,我
B
= 0
V
CE
= -3V ,我
C
= – 0.5A
V
CE
= -3V ,我
C
= –3A
V
CE
= -3V ,我
C
= –3A
I
C
= -3A ,我
B
= -12mA
I
C
= -5A ,我
B
= -20mA
V
CE
= -10V ,我
C
= - 0.5A , F = 1MHz的
I
C
= -3A ,我
B1
= -12mA ,我
B2
= 12毫安,
V
CC
= –50V
20
0.3
2
0.5
–60
–80
1000
2000
10000
–2.5
–2
–4
V
V
V
兆赫
µs
µs
µs
典型值
最大
–200
–200
–500
–500
–2
单位
µA
µA
mA
V
正向电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE2
等级分类
Q
P
2000〜 5000 4000 〜10000
h
FE2
1