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    2SB949 参数 Datasheet PDF下载

    2SB949图片预览
    型号： 2SB949
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型达林顿 [Silicon PNP epitaxial planar type Darlington]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 65 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB949的Datasheet PDF文件第2页  
    功率晶体管
    2SB949 ， 2SB949A
    PNP硅外延平面型达林顿
    对于功率放大和开关
    补充2SD1275和2SD1275A
    0.7±0.1
    10.0±0.2
    5.5±0.2
    2.7±0.2
    4.2±0.2
    4.2±0.2
    单位：mm
    q
    q
    16.7±0.3
    q
    高盼着电流传输比H
    FE
    高速开关
    可与被安装在散热片的全包包
    一颗螺丝
    (T
    C
    =25˚C)
    评级
    –60
    –80
    –60
    –80
    –5
    –4
    –2
    35
    2
    150
    -55到+150
    单位
    V
    7.5±0.2
    s
    特点
    φ3.1±0.1
    14.0±0.5
    s
    绝对最大额定值
    参数
    集电极
    基极电压
    集电极
    2SB949
    2SB949A
    2SB949
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    4.0
    1.4±0.1
    1.3±0.2
    浸焊
    0.5
    +0.2
    –0.1
    0.8±0.1
    2.54±0.25
    5.08±0.5
    发射极电压2SB949A
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极电流T
    C
    =25°C
    耗散
    Ta=25°C
    结温
    储存温度
    V
    V
    A
    A
    W
    ˚C
    ˚C
    B
    1
    2
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    TO- 220全包套餐（一）
    3
    内部连接
    C
    s
    E
    电气特性
    (T
    C
    =25˚C)
    参数
    符号
    2SB949
    2SB949A
    2SB949
    2SB949A
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    2SB949
    2SB949A
    V
    首席执行官
    h
    FE1
    h
    FE2*
    V
    BE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    条件
    V
    CB
    = -60V ，我
    E
    = 0
    V
    CB
    = -80V ，我
    E
    = 0
    V
    CB
    = -30V ，我
    B
    = 0
    V
    CB
    = -40V ，我
    B
    = 0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = -30mA ，我
    B
    = 0
    V
    CE
    = -4V ，我
    C
    = –1A
    V
    CE
    = -4V ，我
    C
    = –2A
    V
    CE
    = -4V ，我
    C
    = –2A
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    = -8mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = - 0.5A ， F = 1MHz的
    I
    C
    = -2A ，我
    B1
    = -8mA ，我
    B2
    = 8毫安，
    V
    CC
    = –50V
    20
    0.4
    1.5
    0.5
    –60
    –80
    1000
    2000
    10000
    –2.8
    –2.5
    V
    V
    兆赫
    µs
    µs
    µs
    民
    典型值
    最大
    –1
    –1
    –2
    –2
    –2
    单位
    mA
    集电极截止
    当前
    集电极截止
    当前
    发射Cuto FF电流
    集电极到发射极
    电压
    mA
    mA
    V
    正向电流传输比
    基地发射极电压
    集电极到发射极饱和电压
    跃迁频率
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    *
    h
    FE2
    等级分类
    Q
    P
    2000〜 5000 4000 〜10000
    秩
    h
    FE2
    1

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