功率晶体管
P
C
- TA
50
–6
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
（3）同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
（ 4 ）不带散热片
(P
C
=2W)
T
C
=25˚C
–5
2SB943
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
I
C
/I
B
=20
–30
–10
–3
–1
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
40
I
B
=–100mA
–4
–80mA
–60mA
–3
–40mA
–30mA
–2
–20mA
–16mA
–12mA
–8mA
–4mA
0
30
(1)
20
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
T
C
=100˚C
–25˚C
25˚C
10
(3)
(4)
0
0
20
40
(2)
–1
60
80 100 120 140 160
0
2
4
6
8
10
–1
–3
–10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
–100
10000
I
C
/I
B
=20
h
FE
— I
C
10000
V
CE
=–2V
3000
1000
300
100
30
10
3
f
T
— I
C
V
CE
=–10V
f=10MHz
T
C
=25˚C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
正向电流传输比H
FE
–10
–3
–1
T
C
=–100˚C
–25˚C
25˚C
1000
300
100
–25˚C
30
10
3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
25˚C
T
C
=100˚C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
–30
3000
–1
–3
–10
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
— V
CB
10000
100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25˚C
30
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 ％
I
C
/I
B
=10
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–50V
T
C
=25˚C
安全操作区（ ASO ）
–100
–30
非重复脉冲
T
C
=25˚C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
3000
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.1 – 0.3
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
µs
)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
集电极电流I
C
(A)
–10
–3
–1
I
CP
t=0.5ms
I
C
1ms
10ms
DC
t
英镑
t
on
t
f
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
–1
–3
–10
–30
–100
0
– 0.8
–1.6
–2.4
–3.2
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
