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    2SB940 参数 Datasheet PDF下载

    2SB940图片预览
    型号： 2SB940
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型（适用于功率放大） [Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 48 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB940的Datasheet PDF文件第2页  
    功率晶体管
    2SB940 ， 2B940A
    PNP硅外延平面型
    进行功率放大
    电视垂直偏转输出
    0.7±0.1
    单位：mm
    10.0±0.2
    5.5±0.2
    2.7±0.2
    4.2±0.2
    φ3.1±0.1
    1.4±0.1
    1.3±0.2
    0.5
    +0.2
    –0.1
    0.8±0.1
    2.54±0.25
    5.08±0.5
    1
    2
    3
    4.2±0.2
    补充2SD1264和2SD1264A
    q
    q
    16.7±0.3
    14.0±0.5
    q
    高集电极到发射极电压V
    首席执行官
    大集电极耗散功率P
    C
    可与被安装在散热片的全包包
    一颗螺丝
    (T
    C
    =25˚C)
    评级
    –200
    –200
    –150
    –180
    –6
    –3
    –2
    30
    2
    150
    -55到+150
    单位
    V
    s
    绝对最大额定值
    参数
    集电极
    基极电压
    集电极
    2SB940
    2SB940A
    2SB940
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    发射极电压2SB940A
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极电流T
    C
    =25°C
    耗散
    Ta=25°C
    结温
    储存温度
    V
    V
    A
    A
    W
    ˚C
    ˚C
    浸焊
    4.0
    7.5±0.2
    s
    特点
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    TO- 220全包套餐（一）
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极
    电压
    2SB940
    2SB940A
    (T
    C
    =25˚C)
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE1*
    h
    FE2
    V
    BE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    条件
    V
    CB
    = -200V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = -50μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = -5mA ，我
    B
    = 0
    I
    E
    = -500μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -150mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -400mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -400mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = - 0.5A ， F = 10MHz时
    30
    –200
    –150
    –180
    –6
    60
    50
    –1
    –1
    V
    V
    兆赫
    240
    民
    典型值
    最大
    –50
    –50
    单位
    µA
    µA
    V
    V
    V
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    基地发射极电压
    集电极到发射极饱和电压
    跃迁频率
    *
    h
    FE1
    等级分类
    Q
    60至140
    P
    100至240
    秩
    h
    FE1
    1

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