功率晶体管
P
C
- TA
40
2SB929 ， 2SB929A
I
C
— V
CE
–6
T
C
=25˚C
–5
–10
V
CE
=–4V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
35
30
25
20
15
10
5
(3)
0
0
20
40
集电极电流I
C
(A)
I
B
=–100mA
–4
–80mA
–60mA
–3
–40mA
–30mA
–20mA
集电极电流I
C
(A)
(1) T
C
= TA
（2）在一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
（ 3 ）不带散热片
(P
C
=1.3W)
–8
–6
25˚C
T
C
=100˚C
–4
–25˚C
(1)
–2
–1
(2)
0
60
80 100 120 140 160
0
–2
–16mA
–4
–6
–8
–12mA
–8mA
–4mA
–2
0
–10
–12
0
– 0.4
– 0.8
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
I
C
/I
B
=10
–30
–10
–3
–1
10000
h
FE
— I
C
10000
V
CE
=–4V
3000
1000
300
100
30
10
3
f
T
— I
C
V
CE
=–5V
f=10MHz
T
C
=25˚C
正向电流传输比H
FE
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
25˚C
T
C
=100˚C
–25˚C
– 0.3
T
C
=100˚C
–25˚C
25˚C
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
3000
–1
–3
–10
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全操作区（ ASO ）
–10
I
CP
–3
I
C
10ms
–1
t=1ms
10
3
不重复
脉冲
T
C
=25˚C
R
日（T ）
— t
（ 1 ）不带散热片
（2）在一个50
×
50
×
2毫米铝散热片
(1)
(2)
10
热阻R
th
（吨）（ C / W）
集电极电流I
C
(A)
10
2
– 0.3
300ms
1
– 0.1
2SB929
– 0.03
2SB929A
10
–1
– 0.01
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
时间t （S ）
2
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
