晶体管
2SB0710
(2SB710)
， 2SB0710A
(2SB710A)
PNP硅外延平面型
对于一般的放大
补充2SD0602 （ 2SD602 ） ， 2SD0602A （ 2SD602A ）
■
特点
•
大的集电极电流I
C
•
迷你型封装，设备和自动的让瘦身
通过带包装盒包装插入
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
单位：mm
0.16
+0.10
–0.06
1
2
(0.65)
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
2SB0710
2SB0710A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
等级
−30
−60
−25
−50
−5
−
0.5
−1
200
150
−55
to
+150
V
A
A
mW
°C
°C
V
单位
V
10˚
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
1.1
+0.2
–0.1
集电极 - 发射极电压2SB0710
（基地开）
2SB0710A
1.1
+0.3
–0.1
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 59
Mini3 -G1封装
标记符号：
•
2SB0710 ：C
•
2SB0710A ：D
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
集电极 - 发射极电压
（基地开）
2SB0710
2SB0710A
2SB0710
2SB0710A
V
EBO
I
CBO
h
FE1 * 2
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
*1
基射极饱和电压
*1
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
I
E
= −10 µA,
I
C
=
0
V
CB
= −20
V，I
E
=
0
V
CE
= −10
V，I
C
= −150
mA
V
CE
= −10
V，I
C
= −500
mA
I
C
= −300
妈，我
B
= −30
mA
I
C
= −300
妈，我
B
= −30
mA
V
CB
= −10
V，I
E
=
50毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= −10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
85
40
−
0.35
−
0.60
−1.1
200
6
15
−1.5
V
首席执行官
I
C
= −10
妈，我
B
=
0
符号
V
CBO
条件
I
C
= −10 µA,
I
E
=
0
民
−30
−60
−25
−50
−5
−
0.1
340
V
µA
V
V
兆赫
pF
V
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
正向电流传输比
*1
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * 1 ：脉冲测量
* 2 ：等级分类
秩
h
FE1
记号
符号
2SB0710
2SB0710A
Q
85至170
CQ
DQ
R
120至240
CR
DR
S
170至340
CS
DS
无秩
85至340
C
D
无等级的产品不
分类并没有
标志符号秩。
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年5月
SJC00048CED
0-0.1
0.4
±0.2
5˚
1
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
