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    2SB709A 参数 Datasheet PDF下载

    2SB709A图片预览
    型号： 2SB709A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 51 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB709A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB709A的Datasheet PDF文件第3页  
    晶体管
    2SB709A
    PNP硅外延平面型
    对于一般的放大
    补充2SD601A
    2.8
    –0.3
    +0.2
    单位：mm
    s
    特点
    q
    q
    0.65±0.15
    +0.25
    1.5
    –0.05
    0.65±0.15
    0.95
    +0.2
    1.1
    –0.1
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    –45
    –45
    –7
    –200
    –100
    200
    150
    –55 ~ +150
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    ˚C
    ˚C
    1 ：基本
    2 ：发射器
    3 ：收藏家
    JEDEC ： TO- 236
    EIAJ ： SC- 59
    迷你型包装
    s
    电气特性
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    正向电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    (Ta=25˚C)
    符号
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE *
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    条件
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    = 0
    V
    CE
    = -10V ，我
    B
    = 0
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    = 0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -2mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -10mA
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 1mA时， F = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    –45
    –45
    –7
    160
    – 0.3
    80
    2.7
    460
    – 0.5
    V
    兆赫
    pF
    民
    典型值
    最大
    – 0.1
    –100
    单位
    µA
    µA
    V
    V
    V
    *1
    h
    FE
    等级分类
    秩
    h
    FE
    Q
    160 ~ 260
    BQ
    R
    210 ~ 340
    BR
    S
    290 ~ 460
    BS
    标记符号
    0-0.1
    为0.1〜 0.3
    0.4±0.2
    0.8
    参数
    符号
    评级
    单位
    0.16
    –0.06
    s
    2
    绝对最大额定值
    (Ta=25˚C)
    +0.1
    0.4
    –0.05
    高盼着电流传输比H
    FE
    .
    迷你型封装，设备，允许小型化，
    通过带包装盒自动插入
    包装。
    0.95
    2.9
    –0.05
    1
    1.9±0.2
    +0.2
    3
    +0.1
    1.45
    1

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