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2SB1218A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1218A
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planer type]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 3 页 / 51 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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晶体管
2SB1218A
PNP硅外延平面型
对于一般的放大
补充2SD1819A
2.1±0.1
单位:mm
s
特点
q
q
0.425
1.25±0.1
0.425
高盼着电流传输比H
FE
.
S-迷你型封装,设备,允许小型化,
通过带包装盒自动插入
包装。
0.65
1
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65
3
2
0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25˚C)
0.9±0.1
–45
–45
–7
–200
–100
150
150
–55 ~ +150
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
0.7±0.1
评级
单位
0-0.1
0.2±0.1
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 70
S-迷你型包装
标记符号:
B
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25˚C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -20V ,我
E
= 0
V
CE
= -10V ,我
B
= 0
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -2mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -10V ,我
C
= -2mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 1mA时, F = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
–45
–45
–7
160
– 0.3
80
2.7
460
– 0.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
–0.1
–100
单位
µA
µA
V
V
V
*
h
FE
等级分类
h
FE
标记符号
Q
160 ~ 260
BQ
R
210 ~ 340
BR
S
290 ~ 460
BS
0.15
–0.05
+0.1
0.3
–0
+0.1
1