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    2SB1180 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1180图片预览
    型号： 2SB1180
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面型达林顿 [Silicon PNP epitaxial planar type darlington]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 96 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1180的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1180的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB1180的Datasheet PDF文件第4页  
    2SB1180 ， 2SB1180A
    P
    C
    T
    a
    20
    −8
    (1)T
    C
    = TA
    （2）不带散热片
    (P
    C
    =1.3W)
    T
    C
    =25˚C
    I
    C
    V
    CE
    集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    (V)
    −100
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    I
    C
    /I
    B
    =500
    集电极耗散功率P
    C
    (W)
    集电极电流I
    C
    (A)
    15
    −6
    I
    B
    =–2.0mA
    –1.8mA
    –1.6mA
    –1.4mA
    –1.2mA
    –1.0mA
    –0.8mA
    –0.6mA
    –0.4mA
    −10
    10
    (1)
    −4
    25˚C
    T
    C
    =100˚C
    −1
    –25˚C
    5
    −2
    –0.2mA
    (2)
    0
    0
    40
    80
    120
    160
    0
    0
    −1
    −2
    −3
    −4
    −5
    −
    0.1
    −
    0.1
    −1
    −10
    环境温度T
    a
    (
    °C
    )
    集电极 - 发射极电压V
    CE
    (V)
    集电极电流I
    C
    (A)
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    (V)
    −100
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    −100
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    基射极饱和电压V
    BE （ SAT ）
    (V)
    I
    C
    /I
    B
    =500
    −100
    (1)I
    C
    /I
    B
    =250
    (2)I
    C
    /I
    B
    =500
    (3)I
    C
    /I
    B
    =1000
    T
    C
    =25˚C
    基射极饱和电压V
    BE （ SAT ）
    (V)
    (1) I
    C
    /I
    B
    =250
    (2) I
    C
    /I
    B
    =500
    (3) I
    C
    /I
    B
    =1000
    T
    C
    =25 C
    −10
    (3)
    −10
    T
    C
    =–25˚C
    25˚C
    100˚C
    −10
    (1)
    (2)
    (3)
    −1
    (2)
    −1
    (1)
    −1
    −
    0.1
    −
    0.1
    −1
    −10
    −
    0.1
    −
    0.1
    −1
    −10
    −
    0.1
    −
    0.1
    −1
    −10
    集电极电流I
    C
    (A)
    集电极电流I
    C
    (A)
    集电极电流I
    C
    (A)
    h
    FE
    I
    C
    集电极输出电容
    C（ pF）的
    （共同的基础，输入开路）
    ob
    10
    5
    V
    CE
    =–3V
    C
    ob
    V
    CB
    10
    4
    I
    E
    =0
    f=1MHz
    T
    C
    =25˚C
    安全工作区
    −100
    非重复脉冲
    T
    C
    =25˚C
    I
    CP
    I
    C
    t=1ms
    t=10ms
    正向电流传输比H
    FE
    10
    4
    –25˚C
    集电极电流I
    C
    (A)
    T
    C
    =100˚C
    25˚C
    10
    3
    −10
    10
    2
    −1
    t=300ms
    10
    3
    10
    −
    0.1
    2SB1180A
    2SB1180
    10
    2
    −
    0.1
    −1
    −10
    1
    −
    0.1
    −1
    −10
    −100
    −
    0.01
    −1
    −10
    −100
    −1
    000
    集电极电流I
    C
    (A)
    集电极 - 基极电压V
    CB
    (V)
    集电极 - 发射极电压V
    CE
    (V)
    2
    SJD00056AED

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