功率晶体管
2SB1180 ， 2SB1180A
PNP硅外延平面型达林顿
单位：mm
对于中速压开关
补充2SD1750 ， 2SD1750A
■
特点
•
高正向电流传输比H
FE
•
I型包使散热片直接焊接到
印刷电路板的小型电子设备等。
12.6
±0.3
7.2
±0.3
7.0
±0.3
3.0
±0.2
2.0
±0.2
3.5
±0.2
0˚到0.15˚
2.5
±0.2
(1.0)
(1.0)
1.1
±0.1
1.0
±0.2
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
2SB1180
2SB1180A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
T
a
=
25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
等级
−60
−80
−60
−80
−7
−8
−12
15
1.3
150
−55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
V
单位
V
0.75
±0.1
0.4
±0.1
2.3
±0.2
4.6
±0.4
1
2
3
0.9
±0.1
0˚到0.15˚
集电极 - 发射极电压2SB1180
（基地开）
2SB1180A
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
I- G1封装
注）自支撑式封装也准备。
内部连接
C
B
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
（基地开）
集电极 - 基极截止
电流（发射极开路）
2SB1180
2SB1180A
2SB1180
2SB1180A
I
EBO
h
FE1 *
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
CBO
V
CB
= −60
V，I
E
=
0
V
CB
= −80
V，I
E
=
0
V
EB
= −7
V，I
C
=
0
V
CE
= −3
V，I
C
= −4
A
V
CE
= −3
V，I
C
= −8
A
I
C
= −4
A，I
B
= −8
mA
I
C
= −4
A，I
B
= −8
mA
V
CE
= −3
V，I
C
= −1
A，F
=
1兆赫
I
C
= −4
A，I
B1
= −8
妈，我
B2
=
8毫安
V
CC
= −50
V
20
0.5
2.0
1.0
2 000
500
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= −30
妈，我
B
=
0
民
−60
−80
典型值
E
最大
单位
V
−100
−100
−2
10 000
−1.5
−2
mA
V
V
兆赫
µs
µs
µs
µA
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE1
Q
P
2 000〜 5 000 4 000 10 000
2.5
±0.2
出版日期： 2003年3月
SJD00056AED
1
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
