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2SB1179ATX 参数 Datasheet PDF下载

2SB1179ATX图片预览
型号: 2SB1179ATX
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内容描述: [Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率双极晶体管光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 76 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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功率晶体管
2SB1179 , 2SB1179A
PNP硅外延平面型达林顿
对于功率放大和开关
补充2SD1749 , 2SD1749A
特点
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
高速开关
I型包使散热片直接焊接到
印刷电路板的小型电子设备等。
12.6
±0.3
7.2
±0.3
单位:mm
7.0
±0.3
3.0
±0.2
2.0
±0.2
3.5
±0.2
0˚到0.15˚
2.5
±0.2
(1.0)
(1.0)
1.1
±0.1
1.0
±0.2
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
2SB1179
2SB1179A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
T
a
=
25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
等级
−60
−80
−60
−80
−5
−4
−8
15
1.3
150
−55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
V
单位
V
0.75
±0.1
0.4
±0.1
2.3
±0.2
4.6
±0.4
1
2
3
0.9
±0.1
0˚到0.15˚
集电极 - 发射极电压2SB1179
(基地开)
2SB1179A
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
I- G1封装
注)自支撑式封装也准备。
内部连接
C
B
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
(基地开)
基射极电压
集电极 - 基极截止
电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止
电流(基地开)
2SB1179
2SB1179A
2SB1179
2SB1179A
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
首席执行官
2SB1179
2SB1179A
V
BE
I
CBO
V
CE
= −3
V,I
C
= −3
A
V
CB
= −60
V,I
E
=
0
V
CB
= −80
V,I
E
=
0
V
CE
= −40
V,I
B
=
0
V
CE
= −40
V,I
B
=
0
V
EB
= −5
V,I
C
=
0
V
CE
= −3
V,I
C
= −
0.5 A
V
CE
= −3
V,I
C
= −3
A
I
C
= −3
A,I
B
= −12
mA
I
C
= −5
A,I
B
= −20
mA
V
CE
= −10
V,I
C
= −
0.5 A,F
=
1兆赫
I
C
= −3
A,I
B1
= −12
妈,我
B2
=
12毫安
V
CC
= −50
V
20
0.3
2.0
0.5
1 000
2 000
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= −30
妈,我
B
=
0
−60
−80
典型值
E
最大
单位
V
−2.5
−200
−200
−500
−500
−2
10 000
−2
−4
兆赫
µs
µs
µs
V
mA
µA
V
µA
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
Q
P
h
FE2
出版日期: 2003年2月
2 000〜 5 000 4 000 10 000
SJD00055AED
2.5
±0.2
1