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    2SB1176TX 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1176TX图片预览
    型号： 2SB1176TX
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 94 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SB1176TX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1176TX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB1176TX的Datasheet PDF文件第4页  
    功率晶体管
    2SB1176
    PNP硅外延平面型
    对于电压开关
    补充2SD1746
    ■
    特点
    •
    低集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    •
    正向电流传输比H良好的线性
    FE
    •
    大的集电极电流I
    C
    •
    I型包使散热片直接焊接到
    印刷电路板的小型电子设备等。
    12.6
    ±0.3
    7.2
    ±0.3
    (1.0)
    (1.0)
    单位：mm
    7.0
    ±0.3
    3.0
    ±0.2
    2.0
    ±0.2
    3.5
    ±0.2
    0˚到0.15˚
    2.5
    ±0.2
    1.1
    ±0.1
    1.0
    ±0.2
    0.75
    ±0.1
    0.4
    ±0.1
    2.3
    ±0.2
    4.6
    ±0.4
    0.9
    ±0.1
    0˚到0.15˚
    ■
    绝对最大额定值
    T
    C
    =
    25°C
    参数
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    T
    a
    =
    25°C
    结温
    储存温度
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    等级
    −130
    −80
    −7
    −5
    −10
    15
    1.3
    150
    −55
    to
    +150
    °C
    °C
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    1
    2
    3
    1 ：基本
    2 ：收藏家
    3 ：发射器
    I- G1封装
    注）自支撑式封装也准备。
    ■
    电气特性
    T
    C
    =
    25°C
    ±
    3°C
    参数
    集电极 - 发射极电压（基本开）
    集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
    发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
    正向电流传输比
    符号
    V
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE1
    h
    FE2 *
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    条件
    I
    C
    = −10
    妈，我
    B
    =
    0
    V
    CB
    = −100
    V，I
    E
    =
    0
    V
    EB
    = −5
    V，I
    C
    =
    0
    V
    CE
    = −2
    V，I
    C
    = −
    0.1 A
    V
    CE
    = −2
    V，I
    C
    = −2
    A
    I
    C
    = −4
    A，I
    B
    = −
    0.2 A
    I
    C
    = −4
    A，I
    B
    = −
    0.2 A
    V
    CE
    = −10
    V，I
    C
    = −
    0.5 A，F
    =
    10兆赫
    I
    C
    = −2
    A，I
    B1
    = −
    0.2 A，I
    B2
    =
    0.2 A
    V
    CC
    = −50
    V
    30
    0.13
    0.5
    0.13
    45
    90
    260
    −
    0.5
    −1.5
    V
    V
    兆赫
    µs
    µs
    µs
    民
    −80
    −10
    −50
    典型值
    最大
    单位
    V
    µA
    µA
    注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
    2. * ：等级分类
    秩
    h
    FE2
    Q
    90至180
    P
    130〜 260
    2.5
    ±0.2
    出版日期： 2003年3月
    SJD00052AED
    1

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